特許
J-GLOBAL ID：200903025236967296
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247788
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093023
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】スイッチトキャパシタ方式のDC-DCコンバータの小型化を図る。【解決手段】複数のトレンチキャパシタ、これらを直接または並列に接続するための複数の横型MOSFETをシリコン酸化膜2上に設けられたSOI層3に形成し、これら素子領域の分離をシリコン酸化膜4で充填されたトレンチにより行う。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に設けられ、この絶縁膜に達する素子分離溝により、複数のキャパシタ領域および複数のスイッチ領域に分離された半導体層と、前記素子分離溝を埋め込む素子分離絶縁膜と、前記複数のキャパシタ領域の各々に形成された溝型キャパシタと、前記複数のスイッチ領域の各々に形成され、かつ前記複数の溝型キャパシタを条件に応じて直列または並列に接続するスイッチング手段とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H02M 3/07
