特許

J-GLOBAL ID：200903025237899324

多層配線構造の半導体装置の製造方法

発明者： 長島 直樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313798
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129448
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 中間導電層の配線パターンの加工精度およびコンタクトホールの加工精度に依存せず、中間導電層との絶縁性を確保しつつ容易に上層導電層と下層導電層とのコンタクトを得ることが可能であり、集積回路のパターン設計の自由度が増大し、高集積化が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 中間導電層26の上層に形成してある層間絶縁層28の上から下層導電層22に臨むコンタクトホール30を形成する工程と、このコンタクトホール30の内壁に絶縁物質から成るサイドウォール32aを形成する工程と、このサイドウォール32aが形成してあるコンタクトホール30内に、下層導電層22に対して下端部が接続するようにプラグ導電体34を充填する工程と、このプラグ導電体34の上端部に接続するように、上記中間導電層26の上方に積層してある層間絶縁層28の上に、上層導電層44を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

下層導電層の上層に、少なくとも一以上の中間導電層と上層導電層とが層間絶縁層を介して積層してある半導体装置の製造方法において、上記中間導電層の上層に形成してある層間絶縁層の上から下層導電層に臨むコンタクトホールを形成する工程と、このコンタクトホールの内壁に絶縁物質から成るサイドウォールを形成する工程と、このサイドウォールが形成してあるコンタクトホール内に、下層導電層に対して下端部が接続するようにプラグ導電体を充填する工程と、このプラグ導電体の上端部に接続するように、上記中間導電層の上方に積層してある層間絶縁層の上に、上層導電層を形成する工程とを有する多層配線構造の半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-203323
  
• 特開平4-139859
  
• 特開平3-184361
  
• 特開平2-285658
  
• 特開昭63-142835