特許
J-GLOBAL ID：200903025245655230
半導体単結晶の成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-133715
公開番号（公開出願番号）：特開平7-315980
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：
【要約】【目的】 単結晶中に不純物を均一濃度分布で取り込ませることができる、FZ法による半導体単結晶の成長方法を提供する。【構成】 誘導加熱コイル3で原料結晶1を部分的に加熱溶融して溶融帯8を形成し、溶融帯8を原料結晶1の一端部から他端部へ移動させて単結晶2を成長させるFZ法による半導体単結晶の成長方法において、融液の攪拌6を非軸対称とし、成長中の単結晶2の回転方向を交互に換えて溶融帯8内に片流れ5を発生させる。
請求項（抜粋）：
誘導加熱コイルで原料結晶を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯を前記原料結晶の一端部から他端部へ移動させて単結晶を成長させるFZ法による半導体単結晶の成長方法において、融液の攪拌を非軸対称とし、成長中の単結晶の回転方向を交互に換えて前記溶融帯内に片流れを発生させることを特徴とする半導体単結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 13/26
, C30B 13/30
, H01L 21/208
