特許

J-GLOBAL ID：200903025248497724

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小野村 正明 ,  布上 真也 ,  原田 佳幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293303
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101157
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 薄くて平坦化が達成されるバッファ層を有し且つ、転位密度が少ない能動層を得ることができる窒化物半導体を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 サファイア基板10上に、Mgドープの第1のGaNバッファ層11を、106/cm2程度の密度を持つ六角錘台形晶の成長核の密集層として形成する。このGaNバッファ層11上に、MOCVD法により、Mgドープの第2の単結晶GaNバッファ層12を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された、Mgが添加された多結晶またはアモルファス状態の窒素を含むIII-V族化合物半導体からなる第1のバッファ層と、この第1のバッファ層上に形成された、Mgが添加された単結晶の窒素を含むIII-V族化合物半導体からなる第2のバッファ層と、この第2のバッファ層上に形成された能動層と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00 C

Fターム (8件)：

5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22