特許

J-GLOBAL ID：200903025249612845

強誘電体デバイス

発明者： 大塚 隆 ,  上田 路人 ,  飯島 賢二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192667
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024162
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体ゲートデバイスの強誘電体層の結晶性を向上し、分極状態の保持特性を改善する。【解決手段】 シリコン基板1のLOCOS膜2によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層4と、(Ce,Zr)O2 (又はCeO2 )からなるバッファ絶縁層4と、Bi3 TiNbO9 からなる第2の強誘電体層5と、Bi4 Ti3 O12からなる第1の強誘電体層6と、ポリシリコンからなるゲート電極7とが順に積層されている。一般式(Bi2 O2 )(Am-1 Bm O2m+1)で表される層状ペロブスカイト型化合物において、mが偶数のものはc軸方向においては強誘電体として機能せず、mが奇数のものはc軸方向においても強誘電体としての特性を有している。第1の強誘電体層6の結晶性の向上と各強誘電体層5,6間の界面付近における電界の解消とにより、分極状態の保持特性が向上する。

請求項（抜粋）：

2つの導体層の間に強誘電体部を介在させてなる強誘電体デバイスであって、上記強誘電体部は、一般式:(Bi2 O2 )(Am-1 Bm O2m+1)により表される層状ぺロブスカイト型化合物のうち,上記一般式中の上記mが奇数である化合物により構成される第1の強誘電体層と、上記第1の強誘電体層に接触して形成され、上記層状ペロブスカイト型化合物のうち上記一般式中の上記mが偶数である化合物により構成される第2の強誘電体層とを備えている強誘電体デバイス。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (15件)：

5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AF06 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AV06 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083BS00 ,  5F083FR06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA13 ,  5F083PR22