特許

J-GLOBAL ID：200903025252296725

磁気抵抗性ブリッジ素子のブリッジ回路を有する磁界センサ

発明者： シエルター、ウオルフガング ,  フアン デン ベルク、フーゴ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-536106
公開番号（公開出願番号）：特表平11-505966
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：

【要約】本センサは複数個の薄膜ブリッジ素子(E1ないしE4)のブリッジ回路(B1)を有する。すべてのブリッジ素子(E1ないしE4;Ej)が同一の層構造および同一のジオメトリをもって共通の基板(13)の上に構成されていなければならず、またGMR効果を示さなければならない。さらに各ブリッジ素子はバイアス層部と、バイアス層部で磁化の所定のオリエンテーション方向を固定的に設定するために、設定電流(Ie)を導くために設けられている導体層(6i)とを有していなければならない。

請求項（抜粋）：

外部の少なくともほぼ均等な磁界を検出するためのセンサであって、ブリッジに結線された薄膜構造を有する磁気抵抗性ブリッジ素子を有し、このブリッジを経てブリッジ電流が導かれ、またこのブリッジ回路から測定電圧が取り出されるセンサにおいて、-すべてのブリッジ素子(E1ないしE4;Ej)が同一の層構造および同一のジオメトリをもって共通の基板(13)の上に構成され、また高い磁気抵抗効果(GMR)を示し、また-ブリッジ素子(E1ないしE4;Ej)の各々にバイアス層部(2)および導体層(6、6i)が設けられ、その際にこの導体層(6、6i)が、バイアス層部(2)で磁化(mfj)の所定のオリエンテーション方向が固定的に設定可能であるように、所定の方向および強さの設定電流(Ie)を導くために設けられていることを特徴とするセンサ。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R