特許

J-GLOBAL ID：200903025253487338

大型および小型の構造体を製作するための低温、片面、複数ステップによるエッチング工程

発明者： ジェイムズ エフ オニール
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-127290
公開番号（公開出願番号）：特開平7-001737
出願日： 1991年05月30日
公開日（公表日）： 1995年01月06日
要約：

【要約】【目的】 エッチング工程によってシリコン・ウェーハの表面に微細構造体を形成する工程を改良する。【構成】 サーマル・インク・ジェット・プリンタ用チャンネル板のようなウェーハから作る部品を製作する工程には、第1および第2マスク層に最終エッチング剤のパターンを形成するステップが含まれる。この第2マスク層は保護層であり、後続の第3マスク層を除去する場合に第1層も除去されるのを防止する。この第2マスク層は低い温度条件で設けられた酸化物である。第1および第2マスク層によって形成した最終エッチング剤パターン上に第3マスク層を形成する。この第3マスク層をパターン化し、最終エッチング剤パターン内に含まれる大型構造体の前駆構造体を形成する。この後、第3マスク層を除去し、このウェーハを最終的にエッチングし構造体を形成する。

請求項（抜粋）：

エッチングによって形成した微細かつ大型の構造体をその中に有するシリコン部材を製作する方法において、第1層のマスク材料を部材の表面に設けるステップと、第1層のマスク材料と異なる第2層の保護マスク材料を第1マスク層上に設けるステップと、微細構造体および大型構造体を有する上記の保護マスク層上に第1パターンを形成し、上記の部材上に所望の完成した構造体を形成するステップと、第1パターン内の第1層および保護層の一部を除去し、第1マスク形成ステップで上記の第1パターン内の部材表面の一部を露出させるステップと、第3層のマスク材料を第1および第2層のマスク材料上および上記の第1マスク除去ステップで露出された部材表面の部分上に設けるステップと、第3層のマスク材料上に第2パターンを形成し、第1パターンの境界内に形成した第2パターンを形成するステップと、上記の第2パターン内の第3層のマスク材料を除去し、第2マスク形成ステップで上記の表面の一部を露出させるステップと、部材の表面を第2パターンを介して上記の部材表面用エッチング剤に対してさらし、第1エッチング・ステップで部材表面上に前駆構造体を形成するステップと、第3層のマスク材料を除去するステップと、上記の前駆構造体を有する上記の部材の表面を部材表面用エッチング剤にさらし、第2エッチング・ステップで第1パターンを介して構造体を形成するステップと、を有することを特徴とする方法。