半導体圧力センサ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017107
公開番号（公開出願番号）：特開2000-214027
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】圧力の検出感度を向上させた半導体圧力センサを提供する。【解決手段】(110)シリコン基板1aを裏面側からエッチングして凹所5を形成することによりダイヤフラム2が形成される。ダイヤフラム2の中央部には2つのピエゾ抵抗素子3a,3bが、周部には2つのピエゾ抵抗素子3c,3dが設けられており、各ピエゾ抵抗素子3a〜3dはホイートストンブリッジを構成するように接続される。各ピエゾ抵抗素子3a〜3dの線長さを長くするため蛇行するように形成されており、その直線部分は<-110>方向に沿って配置される。ダイヤフラム2の中央部に設けられたピエゾ抵抗素子3a,3bは、周部に設けられたピエゾ抵抗素子3c,3dよりも蛇行回数が多くなるように形成されている。また、各ピエゾ抵抗素子3a〜3dはダイヤフラム2の中心に近いほど直線部分が長くなるように形成されている。

請求項（抜粋）：

裏面側に凹所を設けることによって、主表面側に薄肉のダイヤフラムが形成された半導体基板と、ダイヤフラムの主表面側に蛇行するように設けられたピエゾ抵抗素子とを備え、ピエゾ抵抗素子の形状を、ダイヤフラムの変形時に大きな応力の発生するダイヤフラムの領域により多くの部分が配置されるような形状としたことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84 B

Fターム (15件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE13 , 2F055FF11 , 2F055GG16 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA04 , 4M112CA05 , 4M112CA09 , 4M112DA04 , 4M112EA03 , 4M112FA01

前のページに戻る