特許

J-GLOBAL ID：200903025255504906

半導体装置

発明者： 石村 智志 ,  徳安 陽彦
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164654
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013574
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 より高速で安定に動作するスタンダードセル方式の半導体装置を提供する。【構成】 配線領域を確保するために設けられたセルを有するスタンダードセル方式の半導体装置において、セル領域内の基板101上に、ポリシリコン電極111,112と、アルミニウム電極121,122とをシリコン酸化物103を介して設け、ポリシリコン電極111,112及びアルミニウム電極121,122が電源ラインに接続されている

請求項（抜粋）：

スタンダードセル方式の半導体装置において、配線領域を確保するために用いられるセル領域内の基板上に、第1の電極と第2の電極とを絶縁物を介して設け、前記第1の電極及び前記第2の電極が電源ラインに接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/82 B ,  H01L 21/82 L