ヒユーズ抵抗器およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186637
公開番号（公開出願番号）：特開平6-036675
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】低溶断電力のフラツトチツプヒユーズ抵抗器を提供する。【構成】所定サイズの絶縁基板10の一方の面に、所定サイズの抵抗体30を形成し、抵抗体30の一端部近傍へ、その一端部近傍が重畳するように、所定サイズのヒユージングエレメント31を形成する。さらに、抵抗体30の他端部近傍に重畳するように電極21を、ヒユージングエレメント31の他端部近傍に重畳するように電極20をそれぞれ形成して、抵抗体30をトリミングする。さらに、ヒユージングエレメント31を略覆うように、蓄熱層を形成する。

請求項（抜粋）：

所定サイズの絶縁基板に形成されたヒユーズ抵抗器であつて、前記絶縁基板の一方の面に形成した所定サイズの抵抗体層と、前記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍が重畳するように形成した所定サイズのヒユーズ素子と、前記抵抗体層の他端部近傍に重畳するように形成した少なくとも1つの第1の電極部と、前記ヒユーズ素子の他端部近傍に重畳するように形成した少なくとも1つの第2の電極部と、前記ヒユーズ素子を略覆うように形成した蓄熱層とを有することを特徴とするヒユーズ抵抗器。

IPC (5件)：

H01H 85/048 , H01C 7/00 , H01C 7/13 , H01C 17/06 , H01H 69/02

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭59-100501
特開平4-065046
特開平4-065046

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