エッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066763
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275389
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 Al-Si-Cu薄膜を残さずに異方性エッチングを行なう。【構成】温度300°C、SiH2Cl2を含むガスプラズマ中でAl-Si-Cu薄膜のエッチングを行なう。【効果】 Cuの残さなしに異方性エッチングが実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板、あるいは半導体基板上に形成された薄膜のエッチングにおいて、200度から500度のプラズマ中で少なくとも一つのSi-H結合を持つ分子からなるガスを少なくとも1種類混合して用いてエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

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