特許

J-GLOBAL ID：200903025265419346

半導体装置の製造方法

発明者： 清水 正章 ,  福田 祐介 ,  西川 恒一
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274205
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111759
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】欠陥の多いSiCウェーハなどを用いた電力用半導体装置の歩留り向上を図ることを特徴とする半導体装置である。【解決手段】複数の半導体素子のユニットと、該ユニットを外部と電気的に接続するための電極層5からなる半導体装置の製造方法であり、複数の半導体素子のユニットを形成後、不良品ユニットの電極層42上に絶縁物7を塗布し、不良品ユニットを外部と電気的に接続するための第1の電極層5を電気的に絶縁する。不良の原因である欠陥が多くても高歩留りが得られる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子のユニットと、該ユニットを外部と電気的に接続するための電極層からなる半導体装置において、前記複数の半導体素子のユニットを形成後、不良品ユニット上に絶縁物を塗布し、該不良品ユニットと前記外部と電気的に接続するための電極層とを電気的に絶縁する半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L29/47 ,  H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L29/74 ,  H01L29/744 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

FI (7件)：

H01L29/48 P ,  H01L21/02 Z ,  H01L29/48 D ,  H01L29/74 C ,  H01L29/74 Q ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 E

Fターム (19件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB19 ,  4M104CC03 ,  4M104DD16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20 ,  5F005AE01 ,  5F005AF02 ,  5F005BB02 ,  5F005CA05 ,  5F005GA01 ,  5F005GA02