特許

J-GLOBAL ID：200903025269060393

セラミックへの金属被膜形成方法及び金属被覆セラミック構造体

発明者： 林田 英徳
出願人/特許権者： 株式会社ワールドメタル
代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120803
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293654
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 セラミック基材と金属被膜との密着性が向上し、かつ金属被膜表面の半田広がり性、半田付け性も向上した金属被覆セラミック構造体を得る。【構成】 セラミック基材1上にIn又はIn合金からなる中間層6を形成し、さらにCu、Ni、Sn、Pb、Ag、Au、Pd、Zn、Co、Cr、Sn-Pb、Ni-P、Ni-B、Co-P、Co-B、Ni-P-W、Co-B-W、Ni-B-W、Co-P-W、Cr及びMoから選ばれる単層又は複数層からなる上層金属層7を形成し、次いで熱処理により中間層6をセラミック基材1及び上層金属層7に拡散させることにより金属被覆セラミック構造体を形成する。

請求項（抜粋）：

セラミック基材上にIn又はIn合金からなる中間層を形成し、さらにCu、Ni、Sn、Pb、Ag、Au、Pd、Zn、Co、Cr、Sn-Pb、Ni-P、Ni-B、Co-P、Co-B、Ni-P-W、Co-B-W、Ni-B-W、Co-P-W、Cr及びMoから選ばれる単層又は複数層からなる上層金属層を形成し、次いで熱処理により中間層をセラミック基材及び上層金属層に拡散させることを特徴とするセラミックへの金属被膜形成方法。

IPC (3件)：

H05K 1/09 ,  C04B 41/90 ,  H05K 3/38

FI (3件)：

H05K 1/09 Z ,  C04B 41/90 A ,  H05K 3/38 C