特許

J-GLOBAL ID：200903025271249282

プラズマ処理装置

発明者： 田村 仁 ,  渡辺 成一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-113186
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306890
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】高品質なプラズマ処理を高い均一性で行うことを目的とする。【解決手段】プラズマ中伝搬特性の変化を防止するためにプラズマ発生用電磁波の周波数をプラズマ密度に対応するプラズマ振動周波数に比べて小さくする。これによりプラズマ分布等の特性を安定化し、プラズマ不安定を防止することができる。そのため使用できるプロセス条件範囲が拡大し、高品質なプラズマ処理が行える。【効果】均一かつ安定なプラズマが広い範囲のプロセス条件で得られるため、高品質なプラズマ処理を得られるという効果がある。

請求項（抜粋）：

電磁波によりプラズマを発生させるプラズマ処理装置において、真空排気系、処理ガスの供給系、被処理基板載置用基板電極、複数の電磁波放射手段を有し、プラズマ処理を行う条件におけるプラズマの密度に対応するプラズマ振動周波数fp、プラズマ発生用電磁波の周波数f、被処理基板を規定するサイズの最も大きい寸法D、電磁波放射手段周囲の比誘電率εの間に、次の(但しcは光速)の関係が成立することを特徴とするプラズマ処理装置。【数1】

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 C

Fターム (15件)：

4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DG20 ,  4K057DM18 ,  4K057DM22 ,  4K057DM28 ,  4K057DM29 ,  4K057DM33 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BB11 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18