特許
J-GLOBAL ID：200903025280077249

リードフレームパターン及びこれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法

発明者：
安永 尚志

安永 尚志 について

, 
石橋 貴弘

石橋 貴弘 について


出願人/特許権者：
株式会社三井ハイテック

株式会社三井ハイテック について


代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078362
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267482
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 切削抵抗の差異により生じる封止樹脂とリードとの間に発生する剥離を防止し、高品質のリードフレームパターン及びこれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法半導体装置を提供する。【解決手段】 中央に半導体チップ搭載部11を有し、その周囲に多数のリード12を放射状に形成し、ワイヤーボンディング領域16を除くリード12の一側にはエッチング溝19を形成した単位リードフレーム13をマトリックス状に配置してリードフレームパターン20を形成し、各半導体チップ搭載部11に、半導体チップ15を搭載し、半導体チップ15とリード12とを接続部材17によって接続し、更に各半導体チップ15を含むリードフレームパターン20の一側を樹脂封止した後、連結枠21とリード12の接続部分でフル・ダイシングして単体の半導体装置10を形成する。
請求項（抜粋）：
中央に半導体チップ搭載部を有し、その周囲に多数のリードが放射状に形成され、更に放射状に形成された前記リードの外側端部は連結枠で連結された単位リードフレームがマトリックス状に配置されたリードフレームパターンであって、ワイヤボンディング領域を除く前記リードの中央に、エッチング溝を形成したことを特徴とするリードフレームパターン。
IPC (4件)：
H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28
FI (5件)：
H01L 23/50 H ,  H01L 23/50 R ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/12 L
Fターム (12件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109FA04 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DD12 ,  5F067AA01 ,  5F067AA05 ,  5F067AB04 ,  5F067BB08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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