特許
J-GLOBAL ID：200903025280346258
半導体表面研磨方法及び研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332750
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193033
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【構成】本発明の半導体表面研磨装置は、研磨装置の研磨台の一部に透過性の物質を用いる。研磨面の膜厚測定を行う際は、研磨台下より膜厚測定器の発光光を研磨面へ透光部を通して照射し、この透光部を通って反射してくる反射光の状態を膜厚測定器により受光し、膜厚を測定する。【効果】本発明によれば、研磨中に膜厚測定のために基板を研磨装置から取り出す必要がなく、またストッパ-材を基板表面に用いる工程等を削減できるため、工程数と時間の削減ができる。さらに研磨中に随時膜厚を測定することにより膜厚研磨量の制御性が改善できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板を基板支持台に設置する工程と、前記半導体基板を前記半導体基板と研磨台との間に介在させた研磨材によって研磨する工程と、前記半導体基板の研磨面の膜厚を検知する工程を具備する半導体表面研磨方法において、前記半導体基板の膜厚を上記研磨台を透過する光によって検出することを特徴とする半導体表面研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/66
