特許
J-GLOBAL ID：200903025285960124
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-170540
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022861
出願日： 1995年07月06日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板3上に設ける入出力端子1と、入出力端子1と同じ平面領域内にホトリソ工程の工程管理用測定パターンである第1のマスク合わせ精度測定用パターン2aとを備える半導体装置およびその製造方法。【効果】 半導体装置の動作に伴う入出力信号を供給と受信することを目的に入出力端子に電圧を印加しても、マスク合わせ精度測定用パターンを介し、半導体基板内に不必要な電流が流れることはないことから、半導体装置を精度よく制御すること可能であり、半導体装置の安定した歩留まり確保に大きく寄与する効果を備え、さらに半導体装置の製造に必要とする面積がマスク合わせ精度測定用パターンの領域分だけ小さくなることから、一枚の半導体基板から得られる半導体装置の絶対的個数は増加する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けるマスク合わせ精度測定用パターンと、マスク合わせ精度測定用パターンの上部に設ける入出力端子とを備えることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/30 522 Z
, H01L 21/30 523
