特許
J-GLOBAL ID：200903025290283289
ダイヤモンドの選択形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福村 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347201
公開番号（公開出願番号）：特開平6-191992
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、高性能な半導体デバイスや光導波路等の電子機器をはじめとする広い分野に好適である、微細なパターンのダイヤモンドを容易にかつ簡便に、しかも所望の形状に再現性よく製造することができる、ダイヤモンドの選択形成法を提供することを目的とする。【構成】 前記目的を達成するためのこの発明は、基板の表面におけるダイヤモンドを形成すべき部分にDLCによるパターンを形成し、前記基板を熱処理した後、気相法により前記基板の表面にダイヤモンドを形成することを特徴とするダイヤモンドの選択形成法である。
請求項（抜粋）：
基板の表面におけるダイヤモンドを形成すべき部分にダイヤモンド状炭素によるパターンを形成し、前記基板を熱処理した後、気相法により前記基板の表面にダイヤモンドを形成することを特徴とするダイヤモンドの選択形成法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, C23C 16/26
, H01L 21/205
