特許

J-GLOBAL ID：200903025293292661

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 古谷 章
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-315203
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164057
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 II-VI族化合物半導体レーザとその製造方法に関し、p型GaAs基板とp型クラッド層のヘテロ接合界面で生じる大きな価電子帯不連続を緩和して、低電圧動作できるII-VI族化合物半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 GaAsよりも禁制帯幅の広いII-VI族化合物半導体層を含んで形成されたダブルヘテロ接合構造と、基板またはコンタクト層を構成するp型GaAs層と、前記ダブルヘテロ接合構造と前記p型GaAs層との間に配置され、GaAsと前記II-VI族化合物半導体との中間のバンドギャップを有し、GaAsとほぼ格子整合し、p型Alx Ga1-x As、p型(Aly Ga1-y )0.5 In0.5 Pの少なくとも一種で形成されたバッファ層を含む中間層とを有する。

請求項（抜粋）：

GaAsよりも禁制帯幅の広いII-VI族化合物半導体層を含んで形成されたダブルヘテロ接合構造(3、4、5)と、基板またはコンタクト層を構成するp型GaAs層(1)と、前記ダブルヘテロ接合構造と前記p型GaAs層との間に配置され、GaAsと前記II-VI族化合物半導体との中間のバンドギャップを有し、GaAsとほぼ格子整合し、p型Alx Ga1-x As、p型(Aly Ga1-y )0.5 In0.5 Pの少なくとも一種で形成されたバッファ層を含む中間層(2)とを有する半導体レーザ。