特許
J-GLOBAL ID：200903025294614530
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075049
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【構成】 従来工程により、トランジスタを形成した後、ビット線10を形成する。次にCVD法により層間絶縁膜11を形成した後、フォトエッチ技術により、コンタクト孔を形成する。次にメタル又はシリサイド13を堆積し、エッチバックした後、ポリシリコンを堆積し、リン拡散により、下部キャパシタ電極14を形成する。その後、キャパシタ絶縁膜15及び上部キャパシタ電極16を形成する。【効果】 下部キャパシタ電極の不純物濃度及び拡散領域の不純物濃度を独立して設定できるため、拡散層が拡大し、素子間耐圧やトランスファゲートの反転電圧の低下を防止でき、信頼性及び生産性が向上する。
請求項（抜粋）：
キャパシタ電極にポリシリコンを用いたキャパシタ部を有する半導体記憶装置において、シリコン基板と前記キャパシタ電極との接続部にメタル又はシリサイドを用いたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
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