特許
J-GLOBAL ID：200903025304586581
発光ダイオードアレイチップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258952
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085318
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 最端発光部においても発光出力特性が低下することなく、発光素子の高密度集積が可能な発光ダイオードアレイチップを得る。【構成】 拡散窓を備えた第1の拡散阻止膜12でエピタキシャルウエハ10の表面を覆うと共に、最端発光部24が形成されるエピタキシャルウエハ10の表面に第2の拡散阻止膜28を設ける。第2の拡散阻止膜28は、第1の拡散阻止膜12とは材質が異なり、エッチングによって選択的に除去できる。拡散窓を介してエピタキシャル層11bに不純物を拡散させて最端発光部24を含む発光部を形成する。【効果】 熱拡散工程時にチップ外周部にp型半導体領域17が形成されることが、第2の拡散阻止膜28で抑制される。そのため、ダイシング時にチップ端面に導入される結晶欠陥を介して最端発光部が基板11aに導通することがなく、注入された電流が高い効率で再結合発光に使用される。
請求項（抜粋）：
拡散窓を備えた第1の拡散阻止膜でエピタキシャルウエハの表面を覆うと共に、最端発光部が形成される前記エピタキシャルウエハのチップ周辺部に前記第1の拡散阻止膜とは材質が異なる第2の拡散阻止膜を設け、前記拡散窓を介してエピタキシャル層に不純物を拡散させ発光部となるp型半導体領域を形成することを特徴とする発光ダイオードアレイチップの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
, B43L 13/00
, H01L 21/78
