特許

J-GLOBAL ID：200903025307660596

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 金谷 康弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206585
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036376
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体薄膜のレーザ結晶化あるいはレーザ活性化において、水素突沸によるアブレーションを防止する。【解決手段】 薄膜半導体装置は少なくとも薄膜トランジスタ及び配線が絶縁基板3に集積形成されており、活性化された不純物を含有する半導体薄膜2を薄膜トランジスタの素子領域又は配線の材料に用いる。この薄膜半導体装置を製造する場合、不活性な状態にある不純物の他に10%の濃度を超える水素を含有した半導体薄膜2を絶縁基板3上に形成する。この絶縁基板3を350°C以上の温度で加熱処理して脱水素化を図り半導体薄膜2に残存する水素の濃度を10%以下に制限する。脱水素化後レーザ光8を照射して半導体薄膜2に含有されていた不純物を活性化する。この際同時に、非晶質シリコンからなる半導体薄膜2をレーザ光照射で多結晶シリコンに転換しても良い。

請求項（抜粋）：

少なくとも薄膜トランジスタ及び配線が絶縁基板に集積形成されており、活性化された不純物を含有する半導体薄膜を薄膜トランジスタの素子領域又は配線の材料に用いた薄膜半導体装置の製造方法であって、不活性な状態にある不純物の他に10%の濃度を超える水素を含有した半導体薄膜を絶縁基板上に形成する形成工程と、該絶縁基板を350°C以上の温度で加熱処理して脱水素化を図り半導体薄膜に残存する水素の濃度を10%以下に制御するアニール工程と、脱水素化後レーザ光を照射して該半導体薄膜に含有されていた不純物を活性化する照射工程とを行なう事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/324 Z