特許
J-GLOBAL ID：200903025308725284
半導体発光装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016258
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218565
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 p側のオーム性接触やヘテロバリアの存在に起因する電圧降下を低減することができ、動作電圧が低く信頼性に優れた半導体発光装置を提供することにある。【構成】 活性層をクラッド層で挟んだZnCdSSe系のダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、ダブルヘテロ構造部とp側電極24との間に設けるコンタクト層を、ダブルヘテロ構造部側からp-InGaP層21,p-GaAs層22とし、p側電極24とヘテロ構造部間におけるヘテロバリアを小さくしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
II族元素及びVI族元素を含む半導体層を発光層又はクラッド層としたヘテロ構造部と、このヘテロ構造部とp側電極との間に挿入された少なくとも2層のコンタクト層とを具備し、前記コンタクト層は、ヘテロ構造部からp側電極に向ってバンドギャップが順次小さくなるものであることを特徴とする半導体発光装置。
引用特許：
前のページに戻る
