特許
J-GLOBAL ID:200903025310091489

カーボンナノワイヤの製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小倉 亘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-159342
公開番号(公開出願番号):特開2004-002103
出願日: 2002年05月31日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【目的】機械的,電気的,化学的特性に優れ、機械構造材料,電子部品,光半導体等、広範な分野で機能材料として使用されるカーボンナノワイヤWを得る。【構成】このカーボンナノワイヤWは、中心線上に一連の炭素原子チェーンCが配列され、最内殻直径1nm以下の多層カーボンナノチューブMが炭素原子チェーンCの周囲にある原子の配列構造をもつ。真空チャンバ11を真空排気した後、水素ガスを真空チャンバ11に導入し、圧力8kPa以下の雰囲気中で陽極13/陰極14環にアーク放電を発生させ、一連の炭素原子チェーンCを多層カーボンナノチューブMで覆うことにより製造される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
炭素原子が一連になった炭素原子チェーンが中心線上に配列され、最内殻直径1nm以下の多層カーボンナノチューブが炭素原子チェーンの周囲にある炭素原子の配列構造をもつことを特徴とするカーボンナノワイヤ。
IPC (1件):
C01B31/02
FI (1件):
C01B31/02 101F
Fターム (9件):
4G146AA11 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AD28 ,  4G146AD35 ,  4G146BA01 ,  4G146BC17 ,  4G146BC25 ,  4G146BC28

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