特許
J-GLOBAL ID：200903025311636080
強誘電体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016311
公開番号（公開出願番号）：特開平6-228736
出願日： 1993年02月03日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：
【要約】【目的】 主たる組成がPb(Zr1-x Tix )O3 (x>0.1)薄膜を気相成長させる際、パイロクロア相の形成を防止する。【構成】 主たる組成がPb(Zr1-x Tix )O3 (x>0.1)で示されるペロブスカイト型結晶構造からなる強誘電体薄膜を気相成長法によって基板に成長させる際、特に成長初期時に過剰なPbもしくはPbの酸化物を基板に供給するようにする。成長初期時の薄膜はその後に成長する薄膜に比べてより多量のPbもしくはPbの酸化物を必要とするが、この条件が満たされるのでパイロクロア相は形成されず、ペロブスカイト相のみが形成される。
請求項（抜粋）：
主たる組成がPb(Zr1-x Tix )O3 (x>0.1)で示されるペロブスカイト型結晶構造からなる強誘電体薄膜を気相法によって所定の基板上に成長させる際に、前記強誘電体薄膜の成長初期時に過剰なPbもしくはPbの酸化物を基板に供給することを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。
IPC (6件)：
C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01L 37/02
, H01L 41/24
, H05B 33/10
, H05B 33/22
