特許

J-GLOBAL ID：200903025313166340

放射線変換膜とその製造方法、直接変換型放射線イメージセンサおよび放射線撮像システム

発明者： 関口 芳信
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-288885
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128150
出願日： 2002年10月01日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】感度が高く光応答性に優れたX線電荷変換膜を得る。【解決手段】X線電荷変換膜が、放射線を正・負のキャリヤに変換する変換層7と、電極から変換層7へのキャリヤの注入を阻止するキャリヤ阻止層5とで構成され、キャリヤ阻止層5は、変換層7を構成する半導体にほぼ等しいか又は狭いバンドギャップを有する半導体からなり、ピクセル電極に接して形成されている。放射線変換膜、キャリヤ阻止層は、II-VI族化合物半導体からなり、キャリヤ阻止層は、フッ素、塩素、臭素、よう素の少なくとも一つを含むこともできる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

放射線を電気信号に変換する放射線変換膜において、 前記放射線変換膜が、放射線を正・負のキャリヤに変換する変換層と、該変換層と接して設けられ、一方のキャリヤの注入を阻止するキャリヤ阻止層で構成されており、 前記変換層は半導体からなり、放射線照射により正・負のキャリヤを生成するとともにバンドギャップ内に固定準位を生成し、 前記キャリヤ阻止層は、前記変換層を構成する半導体にほぼ等しいか又は狭いバンドギャップを有する半導体からなり、前記放射線変換膜にバイアスを印加するための一方の電極に接して形成されていることを特徴とする放射線変換膜。

IPC (6件)：

H01L31/09 ,  G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0264 ,  H04N5/32

FI (6件)：

H01L31/00 A ,  G01T1/24 ,  H04N5/32 ,  H01L31/08 L ,  H01L27/14 C ,  H01L27/14 K

Fターム (34件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088FF05 ,  2G088FF06 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB08 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB19 ,  4M118FB23 ,  4M118FB25 ,  5C024AX11 ,  5C024AX16 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5F088AA11 ,  5F088AB09 ,  5F088BA01 ,  5F088BA02 ,  5F088BA03 ,  5F088BB07 ,  5F088EA08 ,  5F088KA03 ,  5F088LA07 ,  5F088LA08