特許

J-GLOBAL ID：200903025314023852

半導体レーザ装置

発明者： 山中 豊
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168543
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021889
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】偏光制御をされた垂直共振器型の半導体レーザ装置を得る。【構成】垂直共振器を構成する反射ミラーの1つにグレーティング構造を設けることで、直交する偏光間で反射率に差を生じさせ、特定の偏光方向で発振するレーザ装置を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の反射ミラー層、活性層、第2の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直共振器型の半導体レーザ装置において、前記第2の反射ミラー層の中に、面内方向において発振レーザ波長と同程度かそれ以下の周期構造を有する位相グレーティング層と、前記グレーティング層に接する金属層よりなる反射構造を有することを特徴とする半導体レーザ装置。