特許

J-GLOBAL ID：200903025315413816

半導体製造方法、半導体製造装置、及び混合ガス生成装置

発明者： 田中 博司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 村上 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-206203
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040686
出願日： 1998年07月22日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板ウェハ主面での異物や不純物の凝集を抑制し、排水処理も容易な半導体基板ウェハの洗浄及び乾燥工程におけるウェット処理技術を提供する。【解決手段】 処理槽10c内で半導体基板ウェハ100の表面を水洗処理した後、N2とH2Oの混合ガス23の雰囲気中で水洗処理後の半導体基板ウェハ100を引き上げる。その後、処理槽10cをシャッター10hで遮断した状態で高濃度の乾燥用薬液の蒸気、例えばIPA蒸気25により半導体基板ウェハ100の表面の水を洗い落とす。

請求項（抜粋）：

半導体基板ウェハの表面を水洗する水洗処理と、水洗処理後の半導体基板ウェハの表面を乾燥させる乾燥処理とを少なくとも有する半導体製造方法において、液相の水洗処理から気相の乾燥処理に移行する過程で、半導体基板ウェハの表面に接する気相を不活性ガスとH2Oの混合ガスにしたことを特徴とする半導体製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 651 ,  B01F 3/04

FI (2件)：

H01L 21/304 651 H ,  B01F 3/04 A

Fターム (4件)：

4G035AB07 ,  4G035AB54 ,  4G035AE01 ,  4G035AE15