特許

J-GLOBAL ID：200903025315477970

レジスト堆積方法

発明者： トーマス エヴァンス アダムス
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214426
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169684
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 基板上へレジストの均一な薄膜を形成すること。【構成】 半導体ウェハー等の基板であるウェハー(11)へフォトレジスト等の材料の堆積をする場合において、ウェハー(11)を回転させ、また堆積を、ウェハー(11)のエッジ(51)で開始するとともに螺旋(53)状のパターンで内側に向かって移動することにより、従来方法よりも均一な被覆が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の製造方法であって、ウェハー(例えば11)を速度r1 で回転する工程を有し、更に、前記ウェハー(例えば11)のエッジ(例えば51)においてレジストの堆積を開始する工程と、前記ウェハーの中心(例えば55)に向かって延在する螺旋状のパターン(例えば53)で前記レジストを連続して堆積する工程と、前記堆積を終了させる工程と、より速い速度r3 で所定の時間だけ前記ウェハー(例えば11)を回転する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 502