特許
J-GLOBAL ID：200903025317155156
入力保護回路、入力保護回路の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116320
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065109
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 抵抗素子になっている拡散抵抗層と電界効果トランジスタのドレインになっている不純物拡散層とを電気的に分離するための素子分離領域を不要とし、入力保護回路に必要な面積を小さく抑える。【解決手段】 入力保護回路が、半導体集積回路の入力端子と内部回路とを接続する抵抗素子12と、サージ入力を接地電位に放電させる電界効果トランジスタ15とを備える。抵抗素子12に対応するN- 型の拡散抵抗層27と、この拡散抵抗層27に接続される電界効果トランジスタのドレイン又はソースに対応するN+ 型の不純物拡散層25とからなる互いに隣接して接続された拡散層領域をイオン注入による二重拡散により形成する。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の入力端子に一端が接続され、他端が内部回路に接続された抵抗素子と、前記抵抗素子の他端と基準電圧導体との間にチャネルを形成するためのソース/ドレイン及び前記チャネルを覆うゲートからなる電界効果トランジスタとを備える入力保護回路であって、前記電界効果トランジスタの前記ドレインに対応する第1の不純物拡散層と、この第1の不純物拡散層に横方向に隣接して接続される前記抵抗素子に対応する第1の拡散抵抗層とからなる第1の拡散層領域を含むことを特徴とする入力保護回路。
IPC (5件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/265
, H01L 27/06
, H01L 29/78
H01L 27/04 H
, H01L 21/265 F
, H01L 27/04 R
, H01L 27/06 311 A
, H01L 27/06 311 C
, H01L 29/78 301 K
