特許

J-GLOBAL ID：200903025317740393

電界効果トランジスタ

発明者： 稲井 誠 ,  瀬戸 弘之 ,  奥井 富士雄 ,  福田 進 ,  有吉 昶
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 小柴 雅昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338566
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242451
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 選択イオン注入や選択再成長技術を用いなくても、エピタキシャル成長とエッチングプロセスのみで、アクセス抵抗(ソースまたはドレインとゲート間直列抵抗)を低減できる構造を有する絶縁ゲート型の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 低抵抗コンタクト層26、高抵抗の障壁層25および低抵抗の電子走行層24を順次積層した積層構造を有し、低抵抗コンタクト層26の表面にソース電極27およびドレイン電極28を形成し、低抵抗コンタクト層26を除去して露出した障壁層25の表面にゲート電極29を形成した、電界効果トランジスタ21において、電子走行層24を、障壁層25より大きな電子親和力を有する材料から構成し、かつ、低抵抗コンタクト層26を、障壁層25と同じ電子親和力を有する材料から構成する。

請求項（抜粋）：

低抵抗コンタクト層、障壁層および電子走行層を順次積層した積層構造を有し、ソースおよびドレイン各領域において、前記低抵抗コンタクト層の表面にオーミック電極をもってソース電極およびドレイン電極がそれぞれ形成され、ゲート領域において、前記低抵抗コンタクト層が除去され、それによって露出した前記障壁層の表面にショットキー電極をもってゲート電極が形成された、電界効果トランジスタにおいて、前記電子走行層が、これに接する前記障壁層より大きな電子親和力を有する材料から構成され、かつ、前記低抵抗コンタクト層が、これに接する前記障壁層と同じ電子親和力を有する材料から構成されていることを特徴とする、電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-023642
  
• 特開平4-103136
  
• 特開平4-367233