特許

J-GLOBAL ID：200903025324745660

半導体装置およびその製造方法

発明者： 野中 信昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277035
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102531
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】電源ノイズによる動作性能の低下がなく、小型で信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の第1の半導体装置では、半導体基板の配線層形成領域が、表面から垂直方向に内部に向かって、第1配線層、第2配線層、コンデンサを順次積層配置し、前記第1および第2の配線層の一方をグランド配線に他の一方を電源配線とし、前記第1および第2配線層をそれぞれ前記コンデンサの第1および第2の電極に接続してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の配線層形成領域が、表面から垂直方向に内部に向かって、第1配線層、第2配線層、コンデンサを順次積層配置し、前記第1および第2の配線層の一方をグランド配線に、他の一方を電源配線とし、前記第1および第2配線層をそれぞれ前記コンデンサの第1および第2の電極に接続してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 W

Fターム (16件)：

5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AV06 ,  5F038CA03 ,  5F038CA10 ,  5F038CD02 ,  5F038CD04 ,  5F038CD11 ,  5F038EZ20 ,  5F064CC09 ,  5F064CC23 ,  5F064DD01 ,  5F064DD34 ,  5F064EE45 ,  5F064EE52