特許

J-GLOBAL ID：200903025330526422

荷電粒子ビーム描画方法

発明者： 大木 博文
出願人/特許権者： 日本電子株式会社
代理人 (1件)： 井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052514
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250393
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 材料の高さ変化や荷電粒子ビームのドリフトの影響を特定の描画領域全体にわたって均一化することができる荷電粒子ビーム描画方法を実現する。【構成】 第1のマーク群M1a〜M3aの位置検出を行い、求められた3つのマーク位置に基づいて、電子ビームの偏向振幅、照射位置シフト、偏向回転の補正データを求める。その後、フィールドF1から実線の流れL1に従って、順に各フィールドの描画を実行し、フィールドFnまで描画を行い、チップT全体の第1回目の描画を終了する。次に、第2のマーク群M1b〜M3bの位置検出を行い、求められた3つのマーク位置に基づいて、補正データを求める。その後、図4のフィールドFnから点線の流れL2に従って、順に各フィールドの描画を実行し、フィールドF1まで描画を行い、チップT全体の第2回目の描画を終了する。

請求項（抜粋）：

特定の描画領域に対して、それぞれ複数のマークよりなる複数のマーク群を設け、複数のマーク群の内の第1のマーク群のマーク位置検出を行って電子ビームの補正データを得、この補正データに基づいて第1のマーク群に接近した位置から特定の描画領域に対して第1回目の描画を行い、次に複数のマーク群の内の他のマーク群のマーク位置検出を行って電子ビームの補正データを得、この補正データに基づいて当該マーク群に接近した位置から特定の描画領域に対して描画を行い、複数の描画動作によって特定の描画領域に対する所定の描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法。

FI (4件)：

H01L 21/30 541 J ,  H01L 21/30 541 D ,  H01L 21/30 541 K ,  H01L 21/30 551