受光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006400
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209483
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】信頼性が高く、しかも高速応答を可能にする。【解決手段】本受光素子に3V〜5Vの逆バイアスを印加し、波長830nm〜860nmのLEDの光が入射すると、光はp型Al0.2 Ga0.8 As層5を透過し、p- 型GaAs層4で吸収され電子とホールが励起される。これらのキャリアは、空乏化したp- 型GaAs層4の内部電界によって、電子はn型Al0.2 Ga0.8 As層3へ短時間に移動し、ホールはp型Al0.2 Ga0.8 As層5へ短時間に移動する。このとき表面電極7、裏面電極8を介して負荷を外部に接続すれば光電流を取り出すことができる。n型GaAsバッファ層2及びn型GaAs基板1でも光励起キャリアとしてホールが発生するが、これらのホールは、n型GaAsバッファ層2とn型Al0.2 Ga0.8 As層3界面のヘテロ障壁によってp- 型GaAs層4側へ拡散できず、これらの層内で再結合する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板の上に形成されるpin型構造の受光素子において、p型層及びn型層のバンドギャップを、入射光のエネルギー、i型層のバンドギャップ及び上記化合物半導体基板のバンドギャップよりも大きくするように形成したことを特徴とする受光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

単一波長受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231688 出願人：日立電線株式会社

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