特許

J-GLOBAL ID：200903025333470940

半導体装置、光電変換装置および撮像装置

発明者： 沖田 彰
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053945
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258229
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 フォトダイオードのリーク電流を低減する。【解決手段】 p型半導体層102内に形成されたn型半導体領域103を有するフォトダイオードと、フォトダイオードと隣接する素子との間に形成された素子分離絶縁膜104と、素子分離絶縁膜の下部に形成されたp型半導体層102よりも高濃度のチャネルストップ領域106と、素子分離絶縁膜上の一部に配線層105が形成されている光電変換装置において、配線層105が素子分離絶縁膜を挟んで対向する領域の少なくとも一部にチャネルストップ領域106よりも高濃度のp+暗電流低減領域を設けた。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体領域及び該第1の半導体領域内に形成された第2導電型の第2の半導体領域を有する半導体素子と、前記半導体素子と隣接する素子との間に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜の下部に形成された前記第1の半導体領域の濃度よりも高い濃度の第1導電型の第3の半導体領域と、前記素子分離絶縁膜上の一部に形成された導電体層とを有する半導体装置において、前記導電体層が前記素子分離絶縁膜を挟んで対向する領域の少なくとも一部に前記第3の半導体領域の濃度よりも高い濃度の第1導電型の第4の半導体領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A

Fターム (19件)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118DC05 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  5C024CX03 ,  5C024CX32 ,  5C024GY41 ,  5C024HX17 ,  5C024HX55

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-361084   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭63-100743
  
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365552   出願人：キヤノン株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-110723   出願人：株式会社東芝
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-150123   出願人：キヤノン株式会社