特許
J-GLOBAL ID：200903025343278320
エレクトロルミネッセンス素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221990
公開番号（公開出願番号）：特開平6-052990
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 表示面の全領域の反射率を均一として表示品質を向上すること。【構成】 X-Yドットマトリックス形EL素子100は、ガラス基板1上に、第1電極2、第1絶縁層3、発光層4、第2絶縁層5及び第2電極6が順次積層されている。又、上記第1電極2のパターン形状間隙にその電極と電気的に絶縁された第1ダミー電極2a、上記第2電極6のパターン形状間隙にその電極と電気的に絶縁された第2ダミー電極6aが形成されている。このように、本発明に係るEL素子は、積層方向の各構成、材質を同じとすることができるため表示面の全領域の反射率は同じとなる。これにより、EL素子は発光・非発光時を問わず表示面における電極のパターン形状や配線電極が外光の反射により見えることがなくなり表示品質が向上する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に第1電極、第1絶縁層、発光層、第2絶縁層及び第2電極を順次積層すると共に前記第1電極又は前記第2電極のうち少なくとも光取り出し側の一方を透明導電膜で形成したエレクトロルミネッセンス素子であって、前記第1電極又は前記第2電極の少なくとも一方の電極のパターン形状間隙に該電極と電気的に絶縁されたダミーパターン部分を形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
引用特許：
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