特許
J-GLOBAL ID：200903025348233430
ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-190132
公開番号（公開出願番号）：特開平11-038623
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 遠紫外光、エキシマレーザー光などの短波長光源の使用に対して感度、解像力、パタ-ンプロファイル、寸法安定性などの必要特性、とりわけ粗密依存性とフォ-カス許容性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)酸分解性基で保護された繰り返し構造単位として?@アセタ-ル基で保護された繰り返し構造単位及び?Aアルコキシカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニルメトキシ基で保護された繰り返し構造単位の双方を含む樹脂及び(B)特定構造のトリフェニルスルホニウム塩又はジフェニルヨードニウム塩を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
請求項（抜粋）：
下記(A)及び(B)を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。(A)?@アセタ-ル基で保護された繰り返し構造単位及び?Aアルコキシカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニルメトキシ基で保護された繰り返し構造単位の双方を酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する構造単位として含む樹脂。(B)下記一般式(I)又は(II)で表される光酸発生剤。【化1】【化2】式中、R1 〜R5 は各々水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、又は-S-R6 基を示す。R6 はアルキル基、又はアリール基を示す。X- は、炭素数1個の置換基を3個以上有するか、もしくは全置換基の炭素数が4個以上となる置換基を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。
IPC (4件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
, C08L 25/18
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 A
, C08L 25/18
, H01L 21/30 502 R
