特許

J-GLOBAL ID：200903025355040656

二次電池及びその製造方法

発明者： 川上 総一郎 ,  小林 直哉 ,  浅尾 昌也
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-355440
公開番号（公開出願番号）：特開平9-231962
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【目的】 二次電池における負極でのデンドライトの析出を抑制し、電池の性能を高める。【構成】 少なくとも負極101、正極102、電解質103、電池ハウジング104を有する二次電池において、少なくとも負極101表面に充電時の電界と直交する磁力線を発生させる磁界発生手段100を設けた二次電池。

請求項（抜粋）：

少なくとも負極、正極、電解質、電池ハウジングを有する二次電池において、少なくとも負極表面に充電時の電界と直交する磁力線を発生させる磁界発生手段を設けたことを特徴とする二次電池。

IPC (4件)：

H01M 4/02 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40

FI (4件)：

H01M 4/02 D ,  H01M 4/04 A ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40 Z