特許

J-GLOBAL ID：200903025356137700

気相成長装置

発明者： 生方 映徳 ,  徳永 裕樹
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 木戸 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-230168
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071883
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】フローライナー内壁面への反応生成物(膜)の付着を防止し、フローライナーの洗浄回数を削減するとともに、フローライナーに付着した反応生成物(膜)によるフローライナーの歪みや変形を防止することにより、装置の安定運転を期待でき、生産性の向上を図れる気相成長装置を提供する。【解決手段】フローライナー11を通して基板面に平行な方向に原料ガスを供給し、前記基板面に半導体薄膜を成長させる気相成長装置において、前記フローライナー11の外壁面に向けて冷却ガスを吹き付けるガス吹付手段(ガス吹付器21)を設ける。あるいは、フローライナー内に冷却ガスを導入するための多数のピンホールを有する冷却ガス導入部を設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

フローライナーを通して基板面に平行な方向に原料ガスを供給し、前記基板面に半導体薄膜を成長させる気相成長装置において、前記フローライナーの外壁面に向けて冷却ガスを吹き付けるガス吹付手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/52

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/52

Fターム (15件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030FA10 ,  4K030KA22 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045BB08 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB06 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ10

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平3-236221
  
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-164111   出願人：三菱重工業株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-256555   出願人：国際電気株式会社
• 枚葉式の熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-016405   出願人：東京エレクトロン株式会社
• シリコン酸化膜の成膜方法およびCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-217037   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-129804   出願人：ソニー株式会社