特許
J-GLOBAL ID:200903025357708700

太陽電池素子基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-364696
公開番号(公開出願番号):特開2002-170969
出願日: 2000年11月30日
公開日(公表日): 2002年06月14日
要約:
【要約】【課題】多結晶シリコンの基板作製において、さらなる低コスト化・少資源の有効利用を図りつつも、性能面での特性向上の要求事項を満足する太陽電池素子基板の製造方法を提供する。【解決手段】貫通孔を有する冶具に、この貫通孔の両端より上パンチ9Aと下パンチ9Bを挿入するように成した焼成用具を用いて、上記貫通孔の内部にサンプル粉体7を充填し、次いでパンチでもって粉体を加圧するとともに、その加圧軸方向にパルス電流を流して、貫通孔の内部に放電プラズマを発生させる工程を経て、前記サンプル粉体7より多結晶体として焼結する太陽電池素子基板の製造方法。
請求項(抜粋):
貫通孔を有する冶具に、この貫通孔の両端よりそれぞれパンチを挿入するように成した焼成用具を用いて、上記貫通孔の内部にシリコン結晶粒子および/またはシリサイド結晶粒子を主成分とする粉体とグラファイトからなる導電性のシートあるいは導電性の粉体を交互に積層充填し、次いでパンチでもって粉体を加圧するとともに、その加圧軸方向にパルス電流を流して、貫通孔の内部に放電プラズマを発生させる工程を経て、前記結晶粒子を多結晶体として焼結せしめ、しかる後に酸素または水素の少なくとも一方の存在する雰囲気中で加熱処理したことを特徴とする太陽電池素子基板の製造方法。
Fターム (3件):
5F051CB04 ,  5F051CB29 ,  5F051GA04

前のページに戻る