特許

J-GLOBAL ID：200903025359713930

錫添加酸化インジウム三元機能膜及びその製造方法

発明者： 金子 正治 ,  村上 健司
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 田中 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282106
公開番号（公開出願番号）：特開平10-130097
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1998年05月19日
要約：

【要約】【目的】高配向性、低抵抗及び透明性を有するために透明電極ばかりでなく結晶基板としても各種デバイスや機能性結晶膜の形成に適した錫添加酸化インジウム膜及びその製造方法を提供する。【構成】ガラス基板上に(111)面に強く配向し、80%以上の光透過率を有し、3.5×10~4〜10×10~4Ωcmという低抵抗を有する錫添加酸化インジウム三元機能膜であって、例えば、In(C5H7O2)3及び(C4H9)2Sn(OCOCH3)2を含有するアルコール溶液を、加熱された基板上に噴霧して、(111)面配向を有する高配向の錫添加酸化インジウム膜を基板上に製膜することによって前記三元機能を有する錫添加酸化インジウム膜を製膜することができる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に(111)面に強く配向し、80%以上の光透過率を有し、10×10~3〜10×10~4Ωcmという低抵抗を有する錫添加酸化インジウム三元機能膜。

IPC (6件)：

C30B 29/22 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00 ,  C03C 17/25 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (6件)：

C30B 29/22 Z ,  C01G 15/00 B ,  C01G 19/00 A ,  C03C 17/25 A ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-276078
  
• 特開昭60-157109