特許

J-GLOBAL ID：200903025360099316

成膜装置および成膜方法

発明者： 木谷 王彦 ,  井上 浩伸 ,  東田 隆亮
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (4件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-130660
公開番号（公開出願番号）：特開2006-307278
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】複数種の元素を蒸着させて薄膜を形成する際の元素の再蒸発に起因する膜欠陥を抑制する。【解決手段】複数の蒸着源、5、6、7、8a、8b を備え、これらからの元素の蒸気を基板4の一主面上に供給して薄膜を形成する成膜装置において、第一の仕切板15と、第二の仕切板16とを設け、前記複数の蒸着源5,6,7,8a,8bは、第一区間14aにSe、Cu、Ga、Inの蒸気を供給し、第二区間14bに再蒸発しやすい元素Seの蒸気をさらに追加して供給するように配列する。基板4を高温下におく成膜工程だけでなく徐冷工程でもSeを常に過剰に供給することにより、形成されるCIGS膜からのSeの再蒸発を防止し、膜欠陥を抑えることができる。CIGS膜は、膜欠陥を抑えることで、太陽電池として機能させたときに高変換効率を実現できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

成膜チャンバと、前記成膜チャンバ内で基板を一定方向に移動させる移動手段と、前記基板の移動方向に沿って配列された複数の蒸着源とを備え、前記蒸着源から放出される複数種の元素を前記基板の一面上に供給して薄膜を形成する成膜装置において、 前記蒸着源と前記基板移動手段との間に配置され、一部にスリットを有する規制部と、 前記スリット内を基板移動方向に沿って分割する仕切板と、 前記移動手段により移動する基板を上流側の第一区間上で所定温度に加熱し下流側の第二区間上で徐冷可能な基板加熱ヒーターとを設け、 前記第一区間に前記複数種の元素を供給し、第二区間に前記複数種の元素の内の最も蒸発しやすい所定元素を供給するように、前記複数の蒸着源を配列した成膜装置。

IPC (1件)：

C23C 14/24

FI (1件)：

C23C14/24 S

Fターム (9件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DA08 ,  4K029DA12 ,  4K029DB14 ,  4K029EA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,310,281号公報(FIG.6)
  

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-074323   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体薄膜ならびにその製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-270033   出願人：松下電器産業株式会社