特許
J-GLOBAL ID:200903025368738873

半導体素子の冷却構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 開口 宗昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-214655
公開番号(公開出願番号):特開平11-068360
出願日: 1997年08月08日
公開日(公表日): 1999年03月09日
要約:
【要約】【課題】 大きさが異なる複数の半導体素子を有するマルチチップモジュールに搭載された半導体素子の冷却構造において、各半導体素子からの発熱を簡易な手段により効率よく放散させ、半導体素子を冷却することができる半導体素子の冷却構造を提供する。【解決手段】 プリント基板に搭載された各半導体素子と放熱板との間の間隙に、各半導体素子と放熱板とを熱的に接続する熱伝導性弾性体を設ける。この熱伝導性弾性体は、少なくとも半導体素子に対する面接触部を有し、あるいは併せて放熱板に対する面接触部を有する。より具体的には、この熱伝導性弾性体は板バネ状である。この弾性を有する熱伝導性弾性体は、熱伝導性及び弾性の高い金属又は熱伝導性樹脂からなる。
請求項(抜粋):
プリント基板に搭載した複数の異なる半導体素子の各々と放熱板との間に、少なくとも半導体素子に対する面接触部を有し、放熱板と一体又は別体にして配置される熱伝導性弾性体を有することを特徴とする半導体素子の冷却構造。
IPC (2件):
H05K 7/20 ,  H01L 23/40
FI (2件):
H05K 7/20 D ,  H01L 23/40 E

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