特許
J-GLOBAL ID：200903025369148840
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340637
公開番号（公開出願番号）：特開平5-171446
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：
【要約】【構成】 サセプタ1の上にトレイ2を載せ、前記トレイ2または/および前記サセプタ1を回転させながら、化学気相成長法で前記トレイ2の上に載置されている基板3に薄膜を形成する方法において、前記トレイ2と前記サセプタ1が、少なくとも互いの対向面部分1b,2aを互いに極性が同じ磁石材料で構成されることにより、前記トレイ2が前記サセプタ1から磁気浮上している薄膜形成方法。【効果】 複数枚の薄膜を同時に形成する場合に、基板の自転・公転時における各回転軸は不要となり、また複雑な機械的なメカニズムも不要になる。したがって、リアクタ構造は簡略となり、またメンテナンスは容易になる。
請求項（抜粋）：
サセプタの上にトレイを載せ、前記トレイまたは/および前記サセプタを回転させながら、化学気相成長法で前記トレイの上に載置されている基板に薄膜を形成する方法において、前記トレイと前記サセプタが、少なくとも互いの対向面部分が互いに極性を同じくする磁石材料で構成されることにより、前記トレイが前記サセプタから磁気浮上していることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
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