特許

J-GLOBAL ID：200903025374320520

単結晶加工方法

発明者： 松原 順一
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所
代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080627
公開番号（公開出願番号）：特開2001-261491
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコンを溶融してシリコン単結晶の引き上げを行った後、シリコン単結晶を所定の直径まで研削する際、シリコン単結晶にダメージを与えず、かつ、製品歩留まりの低下をもたらすことなく単結晶の円筒研削を行う。【解決手段】 金属製の擬似テール12と単結晶の端面11とを接着する際に、金属製の擬似テールと単結晶の端面との間に、前記単結晶の端面と前記擬似テールの接着に用いた接着剤より耐熱性の低い部材を挟んで、単結晶の円筒研削を行う。そして、円筒研削後にシリコン単結晶にダメージを与えない温度でこの部材を加熱し、変性させることによって、単結晶の端面から擬似テールを取り外す。

請求項（抜粋）：

単結晶引き上げ装置により引き上げられた単結晶の端を切断し、その切断面である前記単結晶の端面に擬似テールを接着して円筒研削機に固定し、前記単結晶の円筒側面部の研削を行う単結晶加工方法であって、前記単結晶の端面と前記擬似テールの間に、前記単結晶の端面と前記擬似テールの接着に用いた接着剤より耐熱性の低い部材を挟んで、前記単結晶の端面と前記擬似テールの接着を行う単結晶加工方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  B24B 5/36 ,  C30B 33/00

FI (3件)：

C30B 29/06 B ,  B24B 5/36 ,  C30B 33/00

Fターム (8件)：

3C043AA01 ,  3C043CC03 ,  3C043DD05 ,  3C043EE02 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077FG13