特許
J-GLOBAL ID：200903025378469331
誘電体分離基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295962
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151572
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明は支持体接合型の誘電体分離基板及びその製法に関し、従来例にみられる支持体とする半導体ウエハの接合不良の課題を解消する。【構成】 本発明の接合型の誘電体分離基板において、相互に電気的に絶縁され、かつ分離溝に半導体多結晶層を埋めて互いに連結された複数個の半導体単結晶分離島は、表面にSiO2膜を形成した半導体支持体ウエハと第2の多結晶シリコン層を介して直接接合される。【効果】 支持体ウエハの表面に形成されたSiO2膜が流動し、接合熱処理時に第2の多結晶シリコン層の結晶粒が変質して形成される微小のボイドを埋め、支持体ウエハの完全な接合が達成され信頼性の高い誘電体分離基板を得る。
請求項（抜粋）：
一方の側に半導体素子などの電気素子を形成するための相互に電気的に絶縁された複数個の半導体単結晶の島領域と、前記単結晶島領域を他方の側で連結する第1の多結晶半導体層と、前記第1の半導体多結晶層の他方の側に隣接する第2の半導体多結晶薄層と、前記第2の半導体多結晶薄層の他方の側に隣接する支持体を備えた誘電体分離基板において、前記第2の半導体多結晶薄層と前記支持体との間に酸化膜が形成されていることを特徴とする誘電体分基板。
引用特許：
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