特許

J-GLOBAL ID：200903025379020303

気相成長装置

発明者： 香村 幸夫 ,  豊崎 孝一
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-196368
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036200
出願日： 1996年07月25日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体薄膜の産出サイクル時間を短縮することができ、かつ、産出量の対設備費効果が向上する気相成長装置を提供する。【解決手段】 バッチ処理が可能な複数の反応容器14a、bと、前記反応容器14a、bに接続されたガス供給・制御系を備え、前記反応容器14a、b内で気相成長を行う気相成長装置であって、前記ガス供給・制御系は単一の原料ガス供給・制御系統Mと、複数のパージガス供給・制御系統Pa 、Pb を有し、前記原料ガス供給・制御系統Mは前記複数の反応容器14a、bに切替え接続可能であり、また、前記複数のパージガス供給・制御系統Pa 、Pb は前記複数の反応容器14a、bに接続されており、複数の反応容器14a、bの排気側に、前記反応容器14a、bに切替え接続可能に異なる容量の2基の廃ガス処理装置20a、bを設ける。

請求項（抜粋）：

バッチ処理が可能な複数の反応容器と、前記反応容器に接続されたガス供給・制御系を備え、前記反応容器内で気相成長を行う気相成長装置であって、前記ガス供給・制御系は単一の原料ガス供給・制御系統と、複数のパージガス供給・制御系統を有し、前記原料ガス供給・制御系統は前記複数の反応容器に切替え接続可能であり、また、前記パージガス供給・制御系統は前記複数の反応容器に接続されていることを特徴とする気相成長装置。

IPC (4件)：

C30B 35/00 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 35/00 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-072618
  
• 特開平2-125421
  
• 特開平4-162713