特許

J-GLOBAL ID：200903025379491080

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 松浦 正純
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-361106
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183051
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 有機系絶縁膜と無機系絶縁膜との界面における接着性が向上された層間絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 下部絶縁層2の表面2Sの全面に亘ってポーラスシリカ層を形成する。ポーラスシリカ層の露出している表面上に、ペースト状の水素化シルセスキオキサン(HSQ)を回転塗布法により塗布して、これを約400°Cの窒素雰囲気で焼成する。次に、HSQ膜の露出している表面上にプラズマCVD法によってシリコン酸化膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、上記シリコン酸化膜の露出している表面から下部絶縁層2の表面2Sの内で接続孔17及びその近傍の領域に至るU字型配線溝21を形成することによって、ポーラスシリカ層3,HSQ膜4及びシリコン酸化膜5を形成する。U字型配線溝21内を配線層8で充填する。

請求項（抜粋）：

その表面上に所定の素子が形成された基板を準備する工程と、前記基板上に、有機系低誘電率多孔質膜である第1絶縁膜を形成する工程と、被成膜面の凹凸形状に依存することなく前記被成膜面上に平坦に成膜しうる形成方法で以て、前記第1絶縁膜の前記基板とは反対側の表面上に第2絶縁膜を形成する工程とを備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/312 M ,  H01L 21/90 J

Fターム (62件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AA08 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02