半導体制御整流素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101185
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294765
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】コンデンサ放電等の高di/dt・高パルス電流が流れ、かつ高耐圧が要求される機器への使用に適した構造とする。【解決手段】カソード電極8の外周全体を囲むように主ゲート電極17を形成し、かつ、主ゲート電極17から枝分かれしたゲート電極枝部17B、17Cがカソード電極8の内部まで入り込むようにし、ゲート領域とカソード領域との相対的な対向長を極端に長くする。

請求項（抜粋）：

隣接する互いに反対導電型のPE層、NB層、PB層及びNE層を有する略四角形の半導体基板からなる半導体制御整流素子において、前記NE層は、隣接するPB層との接合端面が該PB層表面に露出し、該NE層と所定の間隔を保持して該NE層の外周全体を囲むよう連続してゲート電極が形成され、該ゲート電極の1つの隅部からは線対称形状となるように連続して前記NE層上に形成されたカソード電極内に入り込むようにゲート電極枝部が形成され、該ゲート電極枝部の直下には線対称形状で前記PB層が存在し、前記NE層は、前記ゲート電極直下のPB層によって分割されることなく連続して形成されていることを特徴とする半導体制御整流素子。

FI (2件)：

H01L 29/74 D , H01L 29/74 W

Fターム (8件)：

5F005AA01 , 5F005AA02 , 5F005AE01 , 5F005AE04 , 5F005AE05 , 5F005AF01 , 5F005GA01 , 5F005GA03

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