特許

J-GLOBAL ID：200903025393674618

高均質性ITO焼結体の製造方法

発明者： 行 政 敏 秋 ,  山 浦 重 信 ,  瀬 戸 康 博 ,  梶 原 崇 裕
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108647
公開番号（公開出願番号）：特開平7-316798
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：

【要約】【目的】 均質性が高く、かつ高純度のITO焼結体を低コストで製造する方法を提供する。【構成】 酸化インジウムおよび酸化を主成分とするITO焼結体の製造方法であって、?@酸化インジウムおよび酸化錫の原料粉末を混合し、これを圧密状態で焼結して焼結体とし、得られた焼結体を自生粉砕により粉砕して粉末とした後、これを再度焼結する、あるいは?Aスパッタリング成膜に使用した後のITOターゲットの表面付着物を除去した後、これを自生粉砕することによって粉末とし、次いでこの粉末を焼結する。

請求項（抜粋）：

酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするITO焼結体の製造方法であって、酸化インジウムおよび酸化錫の原料粉末を混合し、これを圧密状態で焼結して焼結体とし、得られた焼結体を自生粉砕により粉砕して粉末とした後、この粉末を再度焼結することを特徴とする高均質性ITO焼結体の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C04B 35/628 ,  C23C 14/24

FI (2件)：

C04B 35/00 R ,  C04B 35/00 B